近日，据天眼查显示华为技术有限公司公开“半导体器件及相关?？?、电路、制备方法”专利，公开号CN113054010A，申请日期为2021年2月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体器件及相关?？?、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。
据悉，IGBT技术多用于功率半导体，对于华为而言，在其汽车研发和光伏逆变器等产品上要用IGBT技术。有业内人士认为，在功率器件中，进行多次外延，在衬底的基础上增加不同掺杂元素和不同厚度的外延层，用于改善极间漏电流。
